欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:NAND储存器NAND芯片采购平台全系列-亿配芯城 > 话题标签 > AW135xxTQNR

AW135xxTQNR 相关话题

TOPIC

前言 随着5G技术的不断发展,终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发,在射频链路上对开关的要求也越来越高。AW135xxTQNR系列射频开关采用了国产RF SOI工艺,具有低插损、高隔离及高功率的特点,适用于HPUE高功率用户设备和5G射频前端。 应用场景 手机 笔记本 平板电脑 AW135xxTQNR主要特性 频率范围:0.1~3.8GHz 工作电压范围:1.65V~1.95V 插入损耗:0.65dB typical@2.7GHz 隔离度:25dB typical@2.7GHz 耐功率
  • 共 1 页/1 条记录