SK Hynix品牌HY27US08281A-TPCB芯片：Nand Flash 128 MB技术与应用介绍 SK Hynix是一家全球知名的半导体制造商，其生产的HY27US08281A-TPCB芯片是一款广泛应用的Nand Flash 128 MB芯片。这款芯片以其独特的技术和方案应用，在各类电子产品中发挥着重要的作用。 首先，我们来了解一下HY27US08281A-TPCB芯片的特点。这款芯片采用了最新的NAND Flash技术，具有高速读写、数据保存时间长、耐久性好等特点。此外，它还采
SK Hynix推出新动态随机存取存储器，实现世界上最大的单芯片容量标准
2024-07-23在推广动态随机存取存储器制造技术方面，三星、SK海力士和广美从未停止脚步。 近日，SK Hynix宣布开发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存取存储器(DRAM)，称其将在单芯片标准下实现世界上最大容量16GB，即晶圆可生产的最大内存量可达到现有的DRAM。据悉，新的1Z纳米动态随机存取存储器支持高达3200兆比特每秒的数据传输速率，达到了DDR4规格内的最高速度。同时，在功耗方面，与上一代相同容量的模块相比，降低了约40%；此外，与上一代1Y纳米产品相比，其生产能力提高了约